BLS6G2731S-120 datasheet
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>> BLS6G2731S-120 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS datasheet RF/IF 和 RFID
型号:
BLS6G2731S-120
库存数量:
可订货
制造商:
NXP Semiconductors
描述:
射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS
RoHS:
否
详细参数
参数
数值
产品分类
RF/IF 和 RFID >> 射频MOSFET电源晶体管
描述
射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS
制造商
NXP Semiconductors
配置
Single
晶体管极性
N-Channel
频率
增益
输出功率
汲极/源极击穿电压
60 V
漏极连续电流
33 A
闸/源击穿电压
13 V
最大工作温度
+ 150 C
封装 / 箱体
SOT502B
封装
Tube
相关资料
属性
链接
代理商
BLS6G2731S-120
BLS6G2731S-120,112
BLS6G2731S-130
BLS6G2731S-130,112
BLS6G2735L-30
BLS6G2735L-30,112
供应商
公司名
电话
深圳廊盛科技有限公司
18229386512
李小姐
深圳廊盛科技有限公司
18229386512
李小姐
深圳廊盛科技有限公司
18682365538
严艺浦
上海鑫科润电子科技有限公司
18521007236
鑫科润
深圳市佳斯泰科技有限公司
13410012158
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0755-23915071
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0755-23949981
曹先生
BLS6G2731S-120 参考价格
价格分段
单价(美元)
总价
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